容量：256K位（32K x 8）
　　电源电压：3.3V
　　访问时间：55ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　数据宽度：8位
　　封装引脚数：54
　　接口类型：并行

GM76C256CLFW-55 SRAM芯片采用了先进的CMOS技术，提供了高速数据访问能力和较低的功耗表现。其55ns的访问时间使得该芯片能够满足高速缓存和实时数据处理的需求。此外，该芯片在3.3V电源电压下运行，有助于降低整体系统功耗，同时保持与大多数现代控制器和处理器的兼容性。芯片采用TSOP封装，具备良好的散热性能和机械稳定性，适用于高密度PCB布局。
　　GM76C256CLFW-55还具备高度的可靠性和稳定性，能够在工业级温度范围内（-40°C 至 +85°C）正常工作，适用于各种严苛环境条件下的应用。其并行接口设计支持高速数据传输，适用于需要快速读写操作的系统。此外，该芯片具有低待机电流特性，有助于在非活跃状态下节省电能，提高系统的能效比。
　　该SRAM芯片广泛用于通信设备、工业自动化系统、测试仪器、嵌入式控制设备等对性能和稳定性有较高要求的应用领域。其高速存取能力、低功耗特性和宽温工作范围使其成为众多高性能系统的理想选择。

GM76C256CLFW-55 主要用于需要高速数据存储和快速访问的场合，如路由器和交换机的缓存、工业控制器的临时数据存储、测试测量设备的数据缓冲、嵌入式系统的高速缓存以及医疗设备中的图像数据存储等。该芯片的高性能和高可靠性使其特别适合于对数据响应时间敏感的应用场景。

ISSI IS61LV256ALFW-55, Cypress CY62148EVLL-55ZS, Alliance AS7C256A-55JC, Microchip SST39LF512-55-4I-PHE