时间：2025/9/1 12:22:20
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GM76C256CLET70 是一款由 GSI Technology 生产的高性能、低功耗的CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为256Kbit（32K x 8）。该芯片设计用于需要高速数据访问和低功耗的应用场景，广泛应用于通信设备、工业控制系统、嵌入式系统以及网络设备中。该器件采用先进的CMOS工艺制造，具备高速读写能力，同时保持较低的功耗特性，适用于各种对性能和功耗都有较高要求的系统设计。
容量：256Kbit (32K x 8)
组织结构：x8
电源电压：2.3V 至 3.6V
访问时间（最大）：70ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP
引脚数：52
最大工作频率：约143MHz（基于访问时间计算）
读取电流（典型）：100mA
待机电流（典型）：10mA
GM76C256CLET70 是一款高性能SRAM芯片，具备多项显著特性，适用于对速度和功耗都有要求的应用环境。
首先，该芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有较低的功耗表现。在正常工作状态下，其典型读取电流仅为100mA，而在待机模式下，电流更是降低至10mA左右，有助于延长设备的电池寿命并减少散热问题。这种低功耗特性使其非常适合用于便携式设备、工业自动化系统和远程通信节点等应用场景。
其次，该SRAM芯片的访问时间为70ns，支持高达143MHz的工作频率，能够满足高速数据存取的需求。其高速读写能力确保系统在处理大量数据时仍能保持稳定和高效运行，适用于高速缓存、数据缓冲和实时控制等任务。
此外，GM76C256CLET70 支持宽电压范围供电（2.3V至3.6V），增强了其在不同电源环境下的兼容性。该芯片还具备宽温度范围（-40°C至+85°C），适合在工业级温度环境下稳定运行，因此广泛用于工业控制、车载系统和户外通信设备等恶劣环境中。
最后，该芯片采用52引脚TSOP封装，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用。其引脚布局合理，便于PCB布线，提高了设计的灵活性和可靠性。
GM76C256CLET70 SRAM芯片适用于多种高性能、低功耗的应用场景。在通信设备中，它可用作高速缓存或数据缓冲器，提升数据传输效率和系统响应速度；在工业控制系统中，它可作为临时存储单元，用于存储程序变量、状态信息或实时数据；在嵌入式系统中，该芯片可作为主存储器或辅助存储器，为微控制器或FPGA提供快速的数据访问支持；此外，该芯片也适用于网络设备、测试仪器、医疗设备和车载电子系统等需要高速、低功耗存储解决方案的领域。
IS62C256AL-70SLI-T, CY62148E-SI70SXI, IDT71V416SA-70B, ABOV Semiconductor KM681000ALG-70
