时间：2025/9/1 20:33:54
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GM76C256CLET55是一款由GSI Technology公司生产的高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），其容量为256Kbit，组织方式为8K x 32位。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有高速访问时间、低功耗和高可靠性的特点，适用于需要快速数据存取的高性能系统。GM76C256CLET55采用小型封装，适合用于网络设备、通信系统、工业控制设备和嵌入式系统等领域。
容量：256Kbit
组织方式：8K x 32位
访问时间：5.5ns
工作电压：3.3V
封装类型：100-TQFP
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
最大工作频率：180MHz
输入/输出电压兼容性：3.3V和5V兼容
功耗：典型待机电流小于1mA
GM76C256CLET55 SRAM芯片采用高性能CMOS技术，确保了快速的数据访问能力和低功耗特性。其高速访问时间为5.5ns，允许在高达180MHz的频率下运行，适用于对时序要求严格的应用场景。芯片支持3.3V电源供电，同时具备5V输入/输出兼容能力，增强了与现有系统的兼容性。此外，GM76C256CLET55具有低待机电流特性，在系统空闲或低功耗模式下可显著减少能源消耗。该芯片的封装形式为100-TQFP，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。工业级温度范围确保其在各种恶劣环境下稳定运行。
GM76C256CLET55 SRAM广泛应用于高性能网络设备（如路由器和交换机）、通信基础设施（如基站和光传输设备）、嵌入式系统（如工业控制器和测试仪器）、图像处理设备以及实时控制系统等场景。由于其高速访问和低延迟特性，也适合用作缓存存储器或高速数据缓冲区。
IS64WV25632BLL-5.5TLI-S、CY7C1380B-5.5BZC、IDT71V416S35PFGI
