GM76C256BLT-70 是一款由 Galax 公司生产的 256K 位 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM),采用高速异步设计,适用于需要高性能和低功耗的应用场景。该型号为 8K x 32 位架构,封装形式为 TSOP(薄型小外形封装),适用于嵌入式系统、工业控制设备和通信设备等领域。
容量:256 Kbit
组织结构:8K x 32
电压范围:2.3V 至 3.6V
访问时间:70 ns
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装类型:TSOP-II
封装尺寸:54 引脚
最大工作频率:约 14.28 MHz(根据访问时间计算)
功耗:典型值 200 mA(待机模式下小于 10 mA)
GM76C256BLT-70 SRAM 具有高速异步访问能力,访问时间为 70 纳秒,适用于要求快速数据存取的应用。该器件采用低功耗 CMOS 技术,在工作模式下提供较高的能效比,同时在待机模式下电流消耗极低,适合电池供电或对功耗敏感的系统。其宽广的工作电压范围(2.3V 至 3.6V)增强了其在不同电源环境下的适用性,且具有宽温度范围(-40°C 至 +85°C),适用于工业级应用。
该芯片支持全地址异步读写操作,具备简单易用的并行接口,能够与多种主控设备(如微控制器、DSP 或 FPGA)直接连接,无需额外的接口转换电路。TSOP 封装形式有助于减小 PCB 占用面积,提高整体系统集成度。此外,其高可靠性和长期稳定性使其适用于需要长时间运行的工业和通信设备。
GM76C256BLT-70 广泛应用于需要中等容量高速存储器的嵌入式系统,如工业控制设备、数据采集系统、通信模块(如路由器和交换机)、网络设备、测试仪器、医疗设备以及便携式电子产品。该芯片也适用于需要外部缓存存储器的微控制器系统,用于提升系统性能和数据处理能力。
CY7C1041CV33-70ZSXI, IDT71V416SA70PFGI, IS61LV25632ALB4A-70