GM76C256BLLFW-70 时间：2025/9/2 4:10:14 阅读：7

GM76C256BLLFW-70是一款由GSI Technology公司制造的高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片。这款SRAM具有高速访问时间和低功耗特性，适用于需要快速数据存取和稳定性能的工业和商业应用。该芯片采用LLP（Leadless Leadframe Package）封装，适合空间受限的设计场景。其容量为256K位，组织形式为32K x 8，适用于高速缓存、网络设备和通信系统等应用场景。

参数

容量：256K bits (32K x 8)
　　访问时间：70ns
　　工作电压：3.3V
　　封装类型：LLP
　　引脚数：52
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　功耗：典型待机电流小于10mA
　　输入/输出电平：TTL/CMOS兼容

特性

GM76C256BLLFW-70 SRAM芯片具备多项高性能特性。首先，它拥有70ns的访问时间，能够满足高速数据读写需求，适用于需要快速响应的应用场景。其次，该芯片采用低功耗设计，在待机模式下电流消耗极低，有助于延长设备的电池寿命或降低系统整体功耗。
　　此外，该SRAM支持宽温度范围（-40°C至+85°C），适用于工业环境下的可靠运行。其TTL/CMOS兼容的输入/输出电平使其能够灵活地与多种控制器和外围设备接口连接。
　　封装方面，LLP封装不仅节省空间，还提供了良好的热性能和电气性能，适合高密度PCB布局设计。同时，该芯片具有较高的抗干扰能力，确保数据在复杂电磁环境中稳定传输。

应用

GM76C256BLLFW-70 SRAM芯片广泛应用于多个领域，包括但不限于网络设备、工业控制系统、测试测量仪器、通信模块和嵌入式系统。在路由器和交换机中，该芯片可用于高速缓存或数据缓冲，提升数据转发效率；在工业自动化设备中，可用于临时存储运行时数据，提高系统响应速度；在测试设备中，可作为快速存储器用于临时数据存储和处理。
　　由于其低功耗特性和工业级温度范围，也适合用于远程监控系统、智能仪表和医疗电子设备等对可靠性和功耗有较高要求的场景。