时间：2025/9/2 3:20:04
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GM71V18163CLT-6 是由GSI Technology公司生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于异步SRAM类别。该芯片设计用于需要高性能和低功耗的应用场合，广泛应用于通信设备、工业控制、网络设备和高端消费类电子产品中。GM71V18163CLT-6采用CMOS工艺制造，具有高可靠性和稳定性，适用于多种数据存储和缓存应用场景。
容量：256K x 18位
组织结构：256K地址，每个地址18位数据
工作电压：3.3V
访问时间：5.4ns（最大）
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
引脚数量：54引脚
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
最大工作频率：166MHz
数据输出类型：三态输出
控制信号：CE（片选），OE（输出使能），WE（写使能）
封装尺寸：标准TSOP尺寸
GM71V18163CLT-6 SRAM芯片具有多项优异性能，能够满足高性能系统对数据存储速度和可靠性的需求。首先，其高速访问时间（5.4ns）确保了该芯片能够在高频操作下提供快速的数据读写响应，适用于高速缓存或实时数据处理场景。其次，芯片采用低功耗CMOS技术，在保持高性能的同时有效降低功耗，适用于对能效要求较高的嵌入式系统和便携设备。此外，该芯片支持异步操作模式，能够灵活适应不同的系统设计需求。芯片的三态输出功能可以有效减少总线冲突，提高系统的稳定性和兼容性。同时，其54引脚TSOP封装具有较小的体积和良好的散热性能，适合在空间受限的应用中使用。工业级工作温度范围确保该芯片在恶劣环境下依然能够稳定运行，适用于工业控制、通信基站等严苛环境下的应用场景。
GM71V18163CLT-6广泛应用于需要高速数据存取和较大存储容量的电子系统中。典型应用包括通信设备中的数据缓存、网络路由器和交换机的高速缓冲存储器、工业控制系统的临时数据存储、测试设备和测量仪器的高速数据采集模块，以及高端消费类电子产品如高性能打印机、扫描仪和图像处理设备中的临时存储单元。由于其异步SRAM的特性，该芯片也非常适合用于需要与多种主控芯片配合使用的通用存储应用。
Cypress CY7C1380D-555BZC
ISSI IS61WV102418BLL-10B
