时间：2025/9/1 22:51:16
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GM71V18163CJ-5DR 是一款由GSI Technology公司制造的高速静态随机存取存储器（SRAM），属于异步SRAM类别。该芯片具有18位数据总线和16384个地址位置，适用于需要高速数据访问和低延迟的应用场景。其主要特点是高性能、低功耗以及广泛的工业温度范围，使其适用于各种通信、网络和工业控制设备。
容量：18K x 16/18
组织结构：18K地址 x 16/18位数据
电源电压：3.3V
访问时间：5.4ns（最大）
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：TSOP
引脚数：54
数据输出类型：三态
时钟频率：异步操作
读取电流：典型值120mA
待机电流：最大值10mA
GM71V18163CJ-5DR 是一款高性能异步SRAM芯片，采用先进的CMOS技术制造，确保了低功耗和高可靠性。其高速访问时间为5.4ns，使该芯片能够在高频应用中提供快速的数据读取和写入能力。此外，该器件支持三态输出，可以轻松地与多种总线架构集成。该芯片的工业级温度范围使其能够在恶劣的环境条件下稳定运行。其TSOP封装形式不仅节省空间，还提高了热稳定性和机械可靠性。
在功能方面，GM71V18163CJ-5DR 支持异步操作，无需外部时钟信号，从而简化了设计并降低了系统复杂性。该芯片还具有低待机电流，有助于在不使用时减少功耗，提高能效。此外，其高抗噪能力和宽电源电压容差确保了在不同工作条件下的稳定性。这些特性使该芯片成为高性能嵌入式系统、通信设备和工业自动化应用的理想选择。
该芯片广泛应用于需要高速数据存储和低延迟访问的场合，如路由器、交换机、网络处理器、工业控制系统、测试设备和嵌入式计算平台。由于其异步接口和高速特性，特别适用于需要频繁读写操作的实时系统。
ISSI IS61WV102416BLL-10BLLI，Cypress CY62148E
