类型：异步SRAM
　　容量：256K x 16
　　电压范围：2.3V至3.6V
　　访问时间：5.4ns（最大）
　　工作温度范围：工业级 -40°C至+85°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　数据总线宽度：16位
　　最大时钟频率：无
　　读取电流（最大）：250mA
　　待机电流（最大）：10mA

GM71V18163BT6是一款高性能异步SRAM芯片，其主要特性包括高速访问时间、宽电压范围、低功耗设计和TSOP封装形式。该芯片的访问时间仅为5.4ns，能够在高速数据处理应用中提供快速的数据存取能力。
　　该SRAM芯片支持2.3V至3.6V的宽电压范围，使其适用于多种电源设计，并提高了系统的兼容性。此外，在低功耗模式下，芯片的待机电流极低，适合对能耗要求较高的应用。
　　GM71V18163BT6采用TSOP封装，适用于高密度PCB布局，并具有良好的热稳定性和抗干扰能力。其54引脚的封装形式简化了电路连接，并提高了整体系统的稳定性。
　　该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，适用于各种恶劣环境条件下的应用。其16位数据总线宽度提供了较高的数据吞吐能力，适合高性能嵌入式系统、通信设备和工业控制设备。

GM71V18163BT6适用于多种高性能存储应用，包括网络设备、通信系统、工业控制系统、测试设备和嵌入式系统。在路由器和交换机中，该SRAM可用于缓存高速数据，提高网络数据处理效率。在工业控制系统中，它可以用于存储临时数据和程序代码，提高系统的响应速度和稳定性。此外，在测试与测量设备中，该SRAM芯片可提供快速的数据缓冲，提高设备的测量精度和处理速度。

CY7C1041CV33-10ZSXI, IS61LV25616-10T