类型：异步SRAM
　　容量：18Mb（1M x 18）
　　电源电压：3.3V
　　访问时间：8ns
　　封装类型：165-BGA
　　温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　数据总线宽度：18位
　　工作电流：最大约180mA（典型值）
　　待机电流：低功耗模式下约10mA
　　引脚数：165
　　封装尺寸：17mm x 17mm
　　接口类型：并行接口
　　读写操作：异步读写控制
　　最大工作频率：约125MHz（依据访问时间）

GM71V18163BJ-8是一款高性能异步SRAM芯片，具有出色的存取速度和低功耗特性。其8ns的访问时间使得该芯片非常适合用于需要快速数据存取的实时系统。该芯片采用CMOS技术制造，不仅提高了稳定性，还降低了功耗，使其在高速运行时仍能保持较低的能耗。此外，该SRAM芯片支持异步操作，允许灵活的读写控制方式，适合多种系统架构的应用。
　　在封装方面，GM71V18163BJ-8采用165引脚BGA封装，这种封装方式具有较好的散热性能和电气性能，适用于高密度PCB设计。此外，该芯片支持工业级温度范围（-40°C至+85°C），确保其在各种恶劣环境下都能稳定运行。
　　GM71V18163BJ-8还具有较高的可靠性和抗干扰能力，适合用于关键任务系统，如数据通信、网络交换、工业控制和测试设备等。该芯片的18位数据总线结构使其能够处理大量数据，适合需要高带宽存储器的应用场景。

GM71V18163BJ-8广泛应用于需要高速存储和低功耗特性的系统中，例如路由器、交换机、网络处理设备、工业控制器、测试测量仪器和嵌入式系统等。其高速存取能力使其在缓存、帧缓冲、数据交换和临时存储等场景中表现出色。此外，该芯片也适用于需要可靠存储和快速响应的自动化控制系统、数据采集系统以及通信模块。

CY7C18163DV30-8B4I，IDT71V18163SA-8B，AS7C18163A-8B，ISSI IS61WV18163B-8B