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GM71V18160CT-6 发布时间 时间:2025/9/1 22:35:01 查看 阅读:9

GM71V18160CT-6是一款由GSI Technology公司生产的高速、低功耗的18MB四端口静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件主要用于需要高性能和大容量存储的应用场景,例如网络设备、通信系统和高性能计算设备。该芯片采用CMOS工艺制造,具备异步读写能力,并且支持独立的读写端口,从而允许在多个端口上同时进行数据操作。

参数

存储容量:18MB
  存储结构:1M x 18位
  电源电压:3.3V
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  封装类型:256引脚TQFP
  访问时间:6ns
  功耗:典型值为1.5W
  封装尺寸:24mm x 24mm
  最大时钟频率:无时钟(异步)

特性

GM71V18160CT-6芯片的高性能特性使其适用于多任务和高吞吐量应用。其主要特性包括异步操作、独立的读写端口、低功耗设计以及高集成度。此外,该芯片还具备灵活的控制信号,允许用户根据具体需求进行定制化操作。异步SRAM架构使得该器件在各种系统设计中具有较高的灵活性,同时其低功耗特性也有助于降低整体系统的能耗。该芯片还具备较强的抗干扰能力和稳定性,能够在恶劣的工业环境中可靠运行。

应用

GM71V18160CT-6通常用于需要高速缓存和大容量存储的应用,例如路由器和交换机中的数据缓存、图像处理系统、工业控制设备、测试和测量仪器以及医疗成像设备。由于其高速访问时间和多端口设计,该芯片特别适用于需要并发数据访问和处理的高性能系统。

替代型号

CY7C1513V18-6A、IDT71V18160SA、AS7C18160CT-6TC、ISSI IS61WV18160B4-6A

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