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GM71V16403CJ6 发布时间 时间:2025/9/2 2:48:46 查看 阅读:8

GM71V16403CJ6 是一款由GSI Technology公司制造的高性能异步静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为16Mbit(1M x 16位),适用于高速数据存储应用。该器件采用高速CMOS工艺制造,支持异步读写操作,广泛用于网络设备、通信系统、工业控制以及嵌入式系统等领域。

参数

类型:异步SRAM
  容量:16Mbit(1M x 16)
  电压:3.3V或5V可选
  访问时间(tRC):5.4ns、6.0ns、7.0ns等多种速度等级可选
  封装:通常为54引脚TSOP或54引脚FBGA等
  工作温度范围:商业级(0°C至+70°C)或工业级(-40°C至+85°C)
  I/O接口:16位并行数据总线
  封装尺寸:取决于具体封装类型
  最大读取电流:依速度等级和工作频率而定
  最大写入电流:依工作模式和频率而定

特性

GM71V16403CJ6 具备多项高性能特性。其高速访问时间可满足对数据存取速度要求极高的系统需求,支持高速异步读写操作,无需时钟同步控制,降低了设计复杂度。该芯片采用低功耗CMOS工艺,在保证性能的同时实现较低的功耗。此外,GM71V16403CJ6 提供了高可靠性和稳定性,适用于长时间运行的工业和通信设备。
  该SRAM芯片具备独立的片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE)控制信号,允许灵活的读写控制策略。地址和数据接口为并行结构,便于与微处理器、FPGA或ASIC等主控器件连接。其封装形式多样,适应不同应用环境下的PCB布局需求。
  在工作温度方面,GM71V16403CJ6 提供工业级温度范围选项,确保在恶劣环境下仍能正常运行。该芯片广泛应用于路由器、交换机、数字信号处理系统、高速缓存和实时控制系统等。

应用

该芯片常用于高速缓存存储器、网络设备中的数据缓冲、工业自动化控制系统、通信基础设施(如基站、传输设备)、嵌入式系统设计、测试测量设备、医疗成像系统以及高性能计算模块等场景。

替代型号

ISSI IS61LV16403-6TLLI、Cypress CY62167EVLL-60BZ、Alliance Memory AS6C1608-65BQINTR、Renesas IDT71V16403SA、Microchip SST39LF800B

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