GM71V16163CLT-6是一款由Alliance Memory公司生产的高速CMOS静态随机存取存储器(SRAM),具有低功耗、高性能的特点,适用于需要快速数据访问的系统。该芯片为16位数据总线、16384字的存储容量,采用51引脚TSOP封装,适用于工业级工作温度范围。
容量:256Kbit
组织方式:16位x16,384
工作电压:2.3V至3.6V
访问时间:5.4ns(最大)
电流(工作):100mA(典型)
电流(待机):10mA(最大)
封装类型:51-TSOP
温度范围:-40°C至+85°C
接口类型:并行异步
数据保持电压:1.5V(最低)
GM71V16163CLT-6 SRAM芯片采用高性能CMOS技术制造,确保了快速的数据访问速度和低功耗运行。其访问时间低至5.4ns,适用于高速缓存、网络设备和工业控制系统等对响应时间要求严格的应用场景。该芯片支持宽电压范围供电(2.3V至3.6V),增强了其在不同电源环境下的适应能力。在待机模式下,芯片的电流消耗极低,有助于延长电池供电设备的使用寿命。此外,该芯片具有可靠的数据保持能力,在电源电压降至1.5V时仍能保持存储数据不丢失,适用于需要在电源故障时维持数据完整性的系统。GM71V16163CLT-6的封装形式为51-TSOP,便于表面贴装,适用于自动化生产流程。
该芯片还具备较高的抗干扰能力,适合在工业环境中运行。其宽温度范围(-40°C至+85°C)使其能够适应各种严苛的环境条件,确保在极端温度下仍能稳定工作。此外,该SRAM支持异步操作,与多种微处理器和控制器兼容,便于系统集成。
该芯片适用于通信设备、工业控制、汽车电子、消费类电子产品中的高速缓存或数据缓冲存储器。典型应用包括路由器、交换机、测试设备、嵌入式系统和便携式设备等。
IS61LV16163BLL-6TF1I