时间：2025/9/1 22:56:02
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GM71V16163CLT-6是一款由Alliance Memory公司生产的高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM），具有低功耗、高性能的特点，适用于需要快速数据访问的系统。该芯片为16位数据总线、16384字的存储容量，采用51引脚TSOP封装，适用于工业级工作温度范围。
容量：256Kbit
组织方式：16位x16,384
工作电压：2.3V至3.6V
访问时间：5.4ns（最大）
电流（工作）：100mA（典型）
电流（待机）：10mA（最大）
封装类型：51-TSOP
温度范围：-40°C至+85°C
接口类型：并行异步
数据保持电压：1.5V（最低）
GM71V16163CLT-6 SRAM芯片采用高性能CMOS技术制造，确保了快速的数据访问速度和低功耗运行。其访问时间低至5.4ns，适用于高速缓存、网络设备和工业控制系统等对响应时间要求严格的应用场景。该芯片支持宽电压范围供电（2.3V至3.6V），增强了其在不同电源环境下的适应能力。在待机模式下，芯片的电流消耗极低，有助于延长电池供电设备的使用寿命。此外，该芯片具有可靠的数据保持能力，在电源电压降至1.5V时仍能保持存储数据不丢失，适用于需要在电源故障时维持数据完整性的系统。GM71V16163CLT-6的封装形式为51-TSOP，便于表面贴装，适用于自动化生产流程。
该芯片还具备较高的抗干扰能力，适合在工业环境中运行。其宽温度范围（-40°C至+85°C）使其能够适应各种严苛的环境条件，确保在极端温度下仍能稳定工作。此外，该SRAM支持异步操作，与多种微处理器和控制器兼容，便于系统集成。
该芯片适用于通信设备、工业控制、汽车电子、消费类电子产品中的高速缓存或数据缓冲存储器。典型应用包括路由器、交换机、测试设备、嵌入式系统和便携式设备等。
IS61LV16163BLL-6TF1I
