GM71C17403CJ6DR是一款由GSI Technology公司生产的高性能、低功耗的CMOS静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件设计用于高性能网络和通信系统,如路由器、交换机以及数据处理设备。它具有高速读写能力,适合需要快速数据存取的应用场景。这款SRAM芯片采用先进的制造工艺,提供了优异的电气性能和稳定性,适用于工业级温度范围,确保其在严苛环境下仍能稳定运行。
类型:静态随机存取存储器(SRAM)
容量:17Mb(1M x 18)
电源电压:2.3V 至 3.6V
访问时间:5.4ns(最大)
工作温度:-40°C 至 +85°C
封装类型:165-TQFP
接口类型:异步
数据总线宽度:18位
封装尺寸:24mm x 24mm
引脚数:165
GM71C17403CJ6DR是一款高性能SRAM,具备低功耗和高速度的双重优势。其高速访问时间为5.4ns,使得它非常适合用于需要快速数据存取的实时系统。该芯片支持异步操作,提供灵活的控制信号,允许与各种类型的主控设备进行无缝连接。此外,其工作电压范围为2.3V至3.6V,适应多种电源供应环境,并具有良好的功耗管理能力,在待机模式下功耗极低。该器件采用165-TQFP封装,提供优良的热性能和机械稳定性,适用于紧凑型电路设计。内置的错误检测和纠正功能确保数据的完整性,提高系统的可靠性。这款SRAM还具备优异的抗干扰能力和稳定性,确保在高噪声环境下仍能保持稳定运行。
该芯片广泛应用于高性能网络设备、路由器、交换机、数据采集系统、工业控制系统以及嵌入式系统。由于其高速度和低功耗特性,它也常用于通信基础设施、测试与测量设备以及航空航天电子系统。在需要高速缓存或临时数据存储的场合,GM71C17403CJ6DR都能发挥出色的表现。此外,它还适用于需要高可靠性和稳定性的工业和汽车电子应用。
Cypress CY7C17403J6DF2B、ISSI IS61WV102418BLL-10BLI、Renesas IDT71V17403S166BQI