时间：2025/9/12 16:02:33
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GM6815-3030ST26RG 是一款由 Giantec Semiconductor 生产的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率器件，适用于高效率电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，使其在高频率开关应用中表现出色。GM6815-3030ST26RG 通常用于 DC-DC 转换器、同步整流、负载开关、电池管理系统以及各种高功率密度电源系统中。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：30A
最大漏源电压（VDS）：30V
导通电阻（Rds(on)）：12mΩ（典型值）
栅极电压（VGS）：20V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
GM6815-3030ST26RG 具备多项优异特性，使其在高效率功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，从而提高了电源转换效率并减少了发热。该特性在高电流负载条件下尤为重要，有助于提高系统的整体稳定性和可靠性。
其次，该 MOSFET 采用先进的沟槽式结构技术，优化了载流子流动路径，提升了电流密度和开关性能。其高电流承载能力（最大漏极电流为30A）使其适用于大功率输出应用，如服务器电源、电信设备和工业电源模块。
此外，GM6815-3030ST26RG 的最大漏源电压为30V，适用于低压高电流的 DC-DC 转换器和同步整流电路。其栅极驱动电压范围为20V，确保了在各种驱动条件下的稳定运行。该器件的 TO-263（D2PAK）封装形式具有良好的热管理性能，能够有效地将热量传导至PCB板或散热片，从而延长器件的使用寿命。
该器件还具备出色的抗雪崩能力和高耐用性，能够在恶劣的工作环境下稳定运行。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于各种工业级应用环境，包括高温和低温极端条件。
GM6815-3030ST26RG 主要应用于需要高效率和高功率密度的电子系统中。其典型应用包括同步整流型 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统、服务器电源、工业电源模块以及电信设备中的功率管理电路。由于其高电流承载能力和低导通电阻，该器件在高频率开关应用中表现尤为出色，能够有效降低能量损耗并提高系统能效。
此外，GM6815-3030ST26RG 也可用于汽车电子系统中的功率控制模块，如车载充电器、电动助力转向系统和电池管理系统。其优异的热管理性能和宽工作温度范围，使其在汽车和工业环境中具有很高的可靠性。
在同步整流电路中，该 MOSFET 可作为主开关器件，替代传统的肖特基二极管，显著提升转换效率。在负载开关应用中，GM6815-3030ST26RG 可用于控制高电流负载的开启与关闭，实现快速响应和低功耗控制。
Si7490DP, IRF3710, FDS4882, IPB037N04N, NexFET CSD17551Q24A
