时间：2025/9/13 8:06:41
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GM66015-2.5TC3 是一款由 Giantec Semiconductor 生产的低电压、低导通电阻的双通道N沟道MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，提供优异的电气性能和热稳定性，适用于多种高效率功率转换和负载管理应用。这款MOSFET的额定电压为25V，最大连续漏极电流可达15A，适合用于便携式电子设备、电源管理和电池供电系统。
类型：双通道N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：25V
栅源电压(VGS)：±12V
最大连续漏极电流(ID)：15A
导通电阻(RDS(on))：3.5mΩ @ VGS=10V, 7.5mΩ @ VGS=4.5V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TDFN3×3
功率耗散(PD)：2.5W
GM66015-2.5TC3 具备多项优异特性，使其在低电压功率应用中表现出色。
首先，该MOSFET采用了先进的沟槽技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗并提高了能效。在VGS=10V时，RDS(on)低至3.5mΩ，而在VGS=4.5V时也仅为7.5mΩ，支持在低驱动电压下工作，适用于现代电源管理系统。
其次，该器件具有较高的电流承载能力，最大连续漏极电流可达15A，能够胜任高功率密度的设计需求。此外，其热阻较低，配合TDFN3×3封装的优异散热性能，确保在高负载条件下仍能保持良好的热稳定性。
GM66015-2.5TC3 还具备出色的耐用性和可靠性，工作温度范围宽达-55°C至150°C，适用于各种严苛环境。其栅极氧化层经过优化设计，提高了抗静电能力和长期稳定性，确保在高频开关应用中也能稳定运行。
最后，该MOSFET的封装形式为TDFN3×3，体积小巧，便于在紧凑的PCB布局中使用，尤其适合便携式设备和空间受限的应用场景。
GM66015-2.5TC3 的高性能特性使其广泛应用于多个领域。
在电源管理系统中，它常用于DC-DC转换器、同步整流器以及负载开关电路，以实现高效的能量转换和管理。其低导通电阻和高电流能力有助于提高系统效率并降低发热。
在电池供电设备中，如笔记本电脑、平板电脑、智能手机和移动电源，该器件可用于电源路径管理，确保在不同工作模式下都能提供稳定的电力供应。
此外，该MOSFET还可用于马达驱动、LED背光控制、热插拔电源管理以及工业自动化设备中的功率开关应用。
由于其具备良好的高频开关性能和热稳定性，GM66015-2.5TC3 也适用于需要快速开关的PWM控制电路和电源模块设计。
Si2302DS, TSM2302CX, AO4406
