GM5WA06270A 是一款由 GOMEL(高美尔)公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件采用了先进的沟槽式技术,具备低导通电阻(Rds(on))、高耐压和优异的热稳定性。GM5WA06270A 的典型应用场景包括DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器、电源开关电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):120A(在25℃)
导通电阻(Rds(on)):≤2.7mΩ(当Vgs=10V)
最大功耗(Pd):250W
工作温度范围:-55℃ ~ +175℃
封装形式:TO-263(D2PAK)
GM5WA06270A 采用先进的沟槽式MOSFET技术,具有非常低的导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通损耗并提高整体系统的效率。其最大漏源电压为60V,能够支持中高压功率转换应用。在25℃环境温度下,该器件的最大连续漏极电流可达120A,适用于高电流负载的场景。此外,该MOSFET的栅极耐压能力达到±20V,提高了在高频开关应用中的稳定性和可靠性。
在热性能方面,GM5WA06270A 的最大功耗为250W,具备良好的散热能力,适合在高功率密度设计中使用。其工作温度范围从-55℃到+175℃,适应了工业级和汽车级应用对极端温度环境的严苛要求。封装形式为TO-263(D2PAK),是一种表面贴装封装,具有良好的热管理和空间利用率,适用于自动化生产线和高可靠性电子产品。
该MOSFET的高效率和低损耗特性使其成为电源管理系统、电动工具、电动车辆电池管理系统(BMS)、太阳能逆变器以及服务器电源等应用的理想选择。同时,其优异的导通性能也减少了对散热器的依赖,有助于简化系统设计并降低成本。
GM5WA06270A 广泛应用于各类功率电子系统中,包括但不限于:DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机控制器、电源管理模块、UPS不间断电源、储能系统、电动自行车和电动汽车的电池管理系统(BMS)、太阳能逆变器、服务器和通信设备电源、工业自动化设备中的功率开关等。该器件的高电流能力和低导通电阻使其在高效率和高功率密度设计中表现出色,特别适用于对热管理和空间限制要求较高的应用场合。
SiM6686, IPB062N10N3, IRLB8726PbF, NVTFS5C471NL, FDD8880