GM5115 时间：2025/7/18 15:20:34 阅读：2

GM5115是一款由Giantec Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高效率的特点，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等多种应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：5A
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ @ Vgs=4.5V，65mΩ @ Vgs=2.5V
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-23、SOT-323、SOT-363等

特性

GM5115采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具有非常低的导通电阻，从而降低了在高电流应用中的功率损耗。
　　其导通电阻在Vgs=4.5V时仅为35mΩ，在Vgs=2.5V时也仅为65mΩ，使其能够在低电压驱动条件下依然保持高效能。
　　该器件支持高达5A的连续漏极电流，适用于中高功率的开关应用。
　　GM5115的栅极驱动电压范围为±12V，适合用于常见的低压控制电路，如由微控制器或DC-DC控制器驱动的场合。
　　该MOSFET具有较高的热稳定性和可靠性，适用于各种工业和消费类电子产品。
　　由于其SOT封装形式具有较小的体积和良好的散热性能，GM5115在空间受限的设计中尤为适用。

应用

GM5115主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、LED照明控制、便携式电子设备电源管理等领域。
　　在电源管理方面，GM5115可用于同步整流、高效能电压调节器等电路中，提升整体系统效率。
　　在电池供电设备中，它可以作为负载开关来控制不同模块的电源供应，实现节能和延长电池寿命的目的。
　　此外，GM5115也适用于需要高频开关和低导通损耗的电机控制应用，如小型电机驱动和风扇控制电路。