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GM2BB57BMAC 发布时间 时间:2025/8/27 15:29:39 查看 阅读:17

GM2BB57BMAC是一款由Giantec Semiconductor制造的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,广泛应用于电源管理、开关电路和功率控制等领域。该器件属于N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、高开关速度和高可靠性的特点。该封装形式为MAC,适用于表面贴装技术(SMT),使其在高密度PCB设计中具备良好的适应性。由于其高效的能效和良好的热稳定性,GM2BB57BMAC在工业控制、电源供应器、电池管理系统和电机驱动等应用中表现出色。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(VDS):20V
  最大栅源电压(VGS):±12V
  最大漏极电流(ID):4.5A(连续)
  导通电阻(RDS(on)):18mΩ @ VGS = 4.5V
  阈值电压(VGS(th)):0.65V ~ 1.2V
  最大工作温度:150°C
  封装形式:MAC
  安装方式:表面贴装

特性

GM2BB57BMAC是一款性能优异的低压MOSFET,其低导通电阻(RDS(on))确保在高电流下仍能保持较低的功率损耗,从而提高整体系统的效率。
  与传统MOSFET相比,该器件在封装设计上优化了热性能,使其在高负载应用中具备更强的散热能力,从而延长使用寿命并提高稳定性。
  此外,GM2BB57BMAC的高开关速度使其适用于高频开关电路,有助于减小外部滤波元件的尺寸并提高系统响应速度。
  该器件的栅极驱动电压范围较宽,在4.5V至12V之间均可稳定工作,适用于多种驱动电路设计,包括由微控制器或专用驱动IC控制的应用场景。
  其增强型特性确保在无栅极信号时器件处于关断状态,提高了电路的安全性和可控性。
  此外,该MOSFET具有良好的抗静电能力和过热保护性能,适用于各种工业环境下的高可靠性需求。

应用

GM2BB57BMAC广泛应用于多个领域,包括电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电池供电设备以及各种嵌入式控制系统。
  在消费类电子产品中,如移动电源、智能穿戴设备和便携式音频设备中,该器件可作为高效的功率开关,有效延长电池寿命。
  在工业自动化和控制系统中,它常用于继电器替代、LED驱动、电机控制以及各类功率调节模块。
  此外,由于其表面贴装封装形式,GM2BB57BMAC也适用于自动化生产线,提高制造效率和产品一致性。

替代型号

Si2302DS, AO3400, IRF7301, FDMS86101

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