时间：2025/8/27 13:46:10
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GM1BC55254AC是一款由Giantec Semiconductor制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效能功率转换应用而设计，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电系统以及负载开关等。这款MOSFET具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力和优异的热稳定性，适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：55V
栅源电压(VGS)：±20V
漏极电流(ID)：连续：4A（最大）
导通电阻(RDS(on))：最大85mΩ @ VGS = 10V
最大功耗(PD)：1.8W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
GM1BC55254AC具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保在导通状态下功率损耗最小，从而提高系统效率并减少散热需求。该器件的VDS额定值为55V，适用于中等电压功率转换应用，如电池管理系统和DC-DC转换器。
其次，该MOSFET的最大连续漏极电流为4A，能够在高负载条件下稳定运行。此外，其栅极驱动电压范围较宽，支持+10V至+20V的VGS操作，提供了与多种驱动电路兼容的灵活性。
GM1BC55254AC广泛应用于各类功率电子设备中。常见应用包括开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器、DC-DC转换器中的高低侧开关、电池充电和管理系统、电机驱动电路以及负载开关控制等。其优异的导通特性和热稳定性也使其适用于高效率、小体积的电源适配器、LED驱动电源以及工业自动化控制系统中的功率控制模块。此外，由于其具备良好的抗冲击和抗干扰能力，也适合用于车载电子系统中的功率管理单元。
Si2302DS、IRLML2502、FDMS8878、AO3400A、NTMFS4C10N
