类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤7.5mΩ @ VGS=10V
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　最大功耗（PD）：300W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

GM100HB06BLA具备多个关键特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）确保了在高电流条件下的能量损耗最小化，从而提高了整体系统效率。该器件的高耐压能力（60V）和大电流承载能力（100A）使其适用于多种中高功率应用场景。
　　此外，GM100HB06BLA采用了沟槽式MOSFET技术，优化了导通和开关性能，同时降低了开关损耗。该技术还能提升器件的热稳定性，使其在高温环境下仍能稳定工作。
　　TO-220封装设计提供了良好的散热性能，适合用于需要长时间高负载运行的电源系统。此外，该MOSFET具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在突发过压或反向电压条件下保持稳定运行，从而提高系统的可靠性和耐用性。
　　在栅极驱动方面，GM100HB06BLA支持标准的10V驱动电压，兼容常见的MOSFET驱动IC，便于在各种电路设计中集成。其±20V的栅极电压耐受能力也提供了更高的设计灵活性和保护裕量。

GM100HB06BLA广泛应用于多种功率电子系统中。在开关电源（SMPS）设计中，它常用于同步整流、高压侧和低压侧开关等关键部位，以提高能效和降低发热量。由于其高电流能力和低导通电阻，该MOSFET也适用于DC-DC降压和升压转换器，尤其是在高功率密度设计中，如服务器电源、通信设备和工业自动化系统。
　　此外，该器件在电机驱动器和电源管理模块中也有广泛应用，例如无刷直流电机（BLDC）控制器和电动工具中的功率级电路。在电池管理系统（BMS）和储能设备中，GM100HB06BLA可作为主开关元件，提供高效、可靠的电流控制能力。
　　由于其优异的热稳定性和可靠性，该MOSFET也适合用于车载电子系统，如车载充电器（OBC）和DC-DC转换模块。其坚固的设计和高雪崩能量耐受性也使其在电磁干扰（EMI）较强或环境恶劣的应用中表现出色。

SiHF100N60E、IRF1405、STP100N6F6、IPW90R060C7