时间：2025/9/11 9:55:11
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GM100GB06BL 是一款由 Gaintstar（强茂）生产的功率MOSFET晶体管。这款MOSFET专为高效率功率转换应用设计，具有低导通电阻和高耐压特性，适用于DC-DC转换器、电源管理、负载开关以及电机控制等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：100A
导通电阻(Rds(on))：6.5mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
功率耗散(Pd)：200W
GM100GB06BL MOSFET采用了先进的沟槽式功率MOSFET技术，提供了极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗并提高系统效率。其60V的漏源电压额定值使其适用于中高压功率转换应用，例如电池管理系统、工业电源和DC-DC转换器。
该器件采用了TO-263表面贴装封装，具有良好的热性能和电流承载能力，适合高功率密度设计。同时，该MOSFET具备高雪崩能量耐受能力，增强了在恶劣工作条件下的可靠性。
此外，GM100GB06BL的栅极设计优化了开关性能，降低了开关损耗，并提高了抗干扰能力。该器件符合RoHS环保标准，适用于各种工业和汽车电子应用。
该MOSFET广泛用于各类电源管理系统，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池充电器和UPS系统。由于其高电流能力和低导通电阻，GM100GB06BL特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源转换场合，例如服务器电源、通信设备电源以及电动车电控系统。
SiR100DP, IRF1010E, STP100N6F6, FDP100N60
