时间：2025/8/4 21:50:27
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GLT2000是一款由Giantec Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的沟槽式技术，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于各种高性能电源系统。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：200V
最大漏极电流(Id)：16A（连续）
导通电阻(Rds(on))：0.085Ω @ Vgs=10V
栅极电荷(Qg)：34nC
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220、DPAK、D2PAK等
最大功耗(Pd)：83W
GLT2000具有优异的导通特性和快速开关能力，适用于高效率电源系统。其低导通电阻可以有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在高温度环境下稳定工作，确保系统的可靠性。
该MOSFET采用先进的沟槽式工艺制造，使得器件在高电压下仍能保持较低的导通压降，从而提升整体能效。其高电流承载能力和良好的散热设计使其适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用场景。
在保护性能方面，GLT2000具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，能够在极端工作条件下保持稳定运行，降低系统故障率，提高整体系统的安全性和可靠性。
GLT2000广泛应用于各类电源管理系统中，包括AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、同步整流电路、电机控制电路、电池管理系统（BMS）、负载开关、工业自动化设备以及新能源系统如太阳能逆变器和储能系统等。其优异的性能使其成为高性能功率转换系统的理想选择。
IRFZ44N, FDPF085N10A0A, FQP16N20
