时间：2025/9/3 22:27:58
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GLS86FC128G1 是一款由Giantec Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等高功率电子系统中。该器件采用先进的沟槽式工艺技术，具有较低的导通电阻和较高的开关性能，适用于需要高效能和高可靠性的设计场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：120A
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值8.5mΩ @ VGS=10V
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
GLS86FC128G1 MOSFET采用了先进的沟槽式（Trench）结构技术，这种设计显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。
此外，该器件具有优异的热性能和电流承载能力，能够适应高功率密度的设计需求。
其低栅极电荷（Qg）和低输入电容（Ciss）特性，使得该MOSFET在高频开关应用中表现出色，有助于提高系统的开关速度并降低开关损耗。
同时，GLS86FC128G1具有良好的雪崩能量耐受能力，增强了器件在瞬态过压条件下的可靠性。
该器件符合RoHS环保标准，适用于工业级和汽车电子应用领域。
GLS86FC128G1 主要用于高性能电源管理系统中，如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器以及负载开关电路。
在服务器电源、通信设备电源、电动汽车充电系统、工业自动化控制系统等领域均有广泛应用。
由于其高电流能力和低导通电阻特性，该MOSFET也常用于高效率的功率因数校正（PFC）电路和电池管理系统（BMS）中。
此外，在电机控制和逆变器应用中，GLS86FC128G1能够提供出色的动态响应和稳定的工作性能，满足复杂工况下的功率切换需求。
SiS860DN, Nexperia PSMN120-10YLC, Infineon IPP120N10N3G, STMicroelectronics STP120N10F7
