时间：2025/11/28 15:56:06
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GLFR2012T2R2M-LR是一款由Goworld（国星）公司生产的高频、大电流功率电感器，属于其GLFR系列中的表面贴装（SMD）一体成型电感产品。该器件专为现代高效率、高功率密度的电源转换应用设计，尤其适用于直流-直流（DC-DC）变换器、电压调节模块（VRM）、笔记本电脑、服务器主板以及高性能计算设备中的电源管理单元。GLFR2012T2R2M-LR采用先进的金属粉末一体成型技术，结合封闭式磁路结构，有效降低了电磁干扰（EMI），并具备优异的抗饱和特性和热稳定性。其小型化封装尺寸为2.0mm x 1.2mm x 1.2mm（L×W×H），符合当前便携式电子产品对空间节省和轻薄化的需求。该电感的标称电感值为2.2μH，允许偏差为±20%（M级精度），额定电流可达较高水平，确保在高负载条件下仍能稳定工作。此外，该器件具有低直流电阻（DCR）特性，有助于减少铜损，提高整体电源转换效率。GLFR2012T2R2M-LR工作温度范围广泛，通常支持-40°C至+125°C的环境温度操作，满足工业级和消费类电子产品的可靠性要求。其端子采用镍阻挡层和无铅焊料兼容设计，符合RoHS环保标准，并具备良好的可焊性和耐热循环性能，适合回流焊接工艺。作为一款高频功率电感，GLFR2012T2R2M-LR在抑制纹波电流、平滑输出电压方面表现优异，是开关电源中不可或缺的关键元件之一。
产品系列：GLFR
封装尺寸：2012（2.0mm x 1.2mm）
电感值：2.2μH
电感公差：±20%
直流电阻（DCR）：典型值约130mΩ
额定电流（Isat）：约1.8A（电感下降30%）
额定电流（Itemp）：约1.5A（温升40°C）
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
存储温度范围：-40°C 至 +155°C
核心类型：一体成型金属复合材料
屏蔽类型：全屏蔽结构
安装方式：表面贴装（SMD）
端子材质：银/镍/锡三层电极
符合标准：RoHS、REACH
GLFR2012T2R2M-LR采用一体成型金属复合粉末压制技术，其核心材料由高纯度铁硅铝或类似合金粉末构成，经过高温压制与绝缘包覆处理，形成致密且均匀的磁芯结构。这种制造工艺不仅实现了高度集成化，还显著提升了电感器的机械强度和热导率。全屏蔽的封闭式磁路设计有效抑制了漏磁现象，大幅降低了对外部电路的电磁干扰（EMI），同时增强了抗外部磁场干扰的能力，使其在高密度PCB布局中表现出色。该电感具有优异的直流叠加特性，在大电流通过时仍能保持较高的电感值稳定性，避免因磁饱和导致的性能骤降。其低直流电阻（DCR）设计减少了电流流经线圈时的能量损耗，从而降低温升，提升电源系统的整体能效。在高频工作条件下（如数百kHz至数MHz范围），该器件依然能够维持稳定的阻抗特性，适用于同步整流型降压、升压及SEPIC等拓扑结构。GLFR2012T2R2M-LR具备出色的耐热循环能力，能够在多次回流焊过程中保持结构完整性，不会出现开裂或脱层问题。其端子电极采用多层金属化结构，包含银导电层、镍阻挡层和可焊性良好的锡涂层，确保在自动化贴片过程中具备可靠的焊接质量。此外，该器件通过严格的可靠性测试，包括高温高湿储存、温度循环、机械冲击与振动等项目，确保在复杂工作环境下长期稳定运行。产品广泛应用于移动通信设备、便携式电源、FPGA供电、GPU供电等领域。
GLFR2012T2R2M-LR主要应用于需要高效能、小体积功率电感的场合，尤其是在便携式消费类电子产品和高性能计算平台中发挥关键作用。它常用于各类DC-DC转换器电路中，作为储能和滤波元件，配合MOSFET开关管实现高效的电压转换功能。在智能手机、平板电脑和超极本等设备中，该电感可用于主处理器、内存或摄像头模组的电源管理模块，提供稳定且低噪声的供电电压。在笔记本电脑主板上，常用于CPU/GPU核心电压调节模块（VRM），支持动态调压需求，适应不同负载状态下的功耗优化。此外，在服务器电源系统、网络通信设备板卡以及工业控制主板中，该型号也广泛用于POL（Point-of-Load）电源架构中，为ASIC、FPGA、DDR内存等高功耗芯片提供干净的直流电源。由于其优良的抗饱和特性和低EMI表现，GLFR2012T2R2M-LR也可用于LED驱动电源、电池管理系统（BMS）以及汽车电子中的非动力域电源转换电路。在新能源领域，如光伏逆变器和储能系统的辅助电源中，该电感同样具备适用潜力。得益于其小型化设计和高可靠性，GLFR2012T2R2M-LR成为现代高集成度电子系统中理想的功率电感解决方案之一。
