时间：2025/8/13 20:34:04
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GLDTC114EET1G 是 ON Semiconductor 生产的一款双极型晶体管（BJT），属于 NPN 类型的晶体管，广泛用于放大和开关应用。该晶体管采用 SOT-23 封装，适合在各种通用模拟电路和数字电路中使用。它具备良好的电气性能和稳定性，适用于工业控制、通信设备、电源管理和消费类电子产品中。
晶体管类型：NPN
封装类型：SOT-23
最大集电极电流 (Ic)：100 mA
最大集电极-发射极电压 (Vce)：30 V
最大集电极-基极电压 (Vcb)：30 V
最大功耗 (Pd)：300 mW
直流电流增益 (hFE)：110 至 800（根据等级不同）
过渡频率 (fT)：100 MHz
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
GLDTC114EET1G 是一款通用型 NPN 晶体管，具有较高的电流增益（hFE）和良好的频率响应。其 hFE 值根据等级不同可从 110 到 800 不等，使得它适用于多种放大电路和开关电路。该晶体管的工作频率可达 100 MHz，适合用于高频应用。此外，它具备较低的饱和压降（Vce_sat），有助于提高能效并减少热量产生。SOT-23 小型封装适合在空间受限的 PCB 设计中使用，同时具有良好的热稳定性和可靠性。
该晶体管还具有较强的抗静电能力，适合在多种工业环境和消费电子设备中使用。其最大集电极电流为 100 mA，最大集电极-发射极电压为 30 V，能够满足大多数低压电子系统的需求。此外，该器件的功耗为 300 mW，能够在不使用散热片的情况下正常工作。
GLDTC114EET1G 主要用于通用放大电路、开关电路和逻辑电平转换电路。它在工业自动化设备、通信模块、传感器接口、音频放大器和消费类电子产品中均有广泛应用。例如，它可以用于驱动 LED、继电器和小型电机；在数字电路中作为开关元件；在模拟电路中作为电压放大器或缓冲器。由于其良好的频率响应，也常用于射频（RF）前端电路和无线通信模块中的信号处理部分。
BC547, 2N3904, PN2222
