类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：40V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：8A
　　脉冲漏极电流（IDM）：32A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大值18mΩ（在VGS=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOP-8/DFN

GL9P040 MOSFET采用了先进的沟槽式技术，使其在性能和效率方面表现出色。该器件的低导通电阻（RDS(on)）特性使其在高电流应用中能够减少功率损耗，提高整体系统的效率。此外，GL9P040能够承受较高的瞬时电流，具有良好的热稳定性，适合在高负载环境下使用。
　　该MOSFET具备较高的栅极绝缘性能，能够承受±20V的栅源电压，防止因过高的电压导致器件损坏。同时，其工作温度范围较宽，能够在极端环境下稳定工作，提高了器件的可靠性和适用性。
　　GL9P040的封装形式包括SOP-8和DFN，这些封装设计不仅提供了良好的散热性能，还便于在PCB上安装和布局，适用于紧凑型设计。该器件的快速开关特性使其在高频电源转换应用中表现出色，减少了开关损耗并提高了系统响应速度。
　　由于其高性能和高可靠性，GL9P040广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统和负载开关等场景。该器件的设计使其在高电流和高频率应用中能够保持稳定的工作状态，确保系统的长期运行。

GL9P040 MOSFET主要应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中，例如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和电机控制电路。其低导通电阻和高电流处理能力使其非常适合用于高效能的电源转换和管理设备中。此外，该器件也可用于工业自动化设备、通信设备和消费类电子产品中的电源控制模块。

SiSSA44DN-T1-GE3, TPSD404AN, AO4404, NVTFS5C428N