GL9D040 是一款由台湾格罗方德(Globtek)公司生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于电源管理、开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动以及高功率开关应用中。该器件采用TO-252(DPAK)封装,具备良好的散热性能和较高的可靠性。GL9D040 属于N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻(Rds(on))和高耐压能力,适合高频开关应用。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):40V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大连续漏极电流(Id):120A
导通电阻(Rds(on)):4.0mΩ(典型值)
功耗(Pd):160W
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-252(DPAK)
GL9D040 具备多项优异特性,适用于高性能电源转换系统。其低导通电阻(Rds(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率,尤其适用于高电流应用如DC-DC降压转换器和同步整流器。该MOSFET具有高电流承载能力,能够在持续高负载条件下稳定工作。
此外,GL9D040 采用先进的沟槽式工艺制造,提供更高的热稳定性和更优的开关性能。其封装形式为TO-252(DPAK),便于表面贴装(SMT),提高生产效率和可靠性。该器件内置防静电保护电路,有助于提升抗静电能力,避免在操作过程中受损。
该MOSFET具有良好的开关特性,包括快速开关速度和低栅极电荷(Qg),有助于降低开关损耗,提高整体系统效率。在高温环境下,GL9D040 能够保持稳定的电气性能,确保长期可靠运行,适用于工业电源、汽车电子、电池管理系统等领域。
GL9D040 主要应用于高功率密度电源系统,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制器、电池管理系统(BMS)、UPS不间断电源、光伏逆变器、服务器电源模块以及工业自动化设备等。由于其高电流能力与低导通电阻特性,该器件也常用于同步整流、负载开关以及高效率电源管理模块中。在汽车电子领域,GL9D040 可用于车载充电器、电动工具和电动车控制器等应用。此外,它还可作为高边或低边开关,用于H桥电机驱动和电源分配系统。
SiS430DN, IRF1010E, STP120NF40, IPD90N04S4-07