时间：2025/8/1 18:50:21
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GL6-P3211是一款由Giantec Semiconductor公司制造的N沟道增强型功率MOSFET，主要用于电源管理和功率转换应用。这款MOSFET具有低导通电阻、高效率和高可靠性的特点，适合用于DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统等场合。其封装形式为DFN3x3，符合RoHS环保标准，具备良好的散热性能和紧凑的体积设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：60A
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ @ Vgs=10V
导通阈值电压（Vgs(th)）：1.2V~2.5V
功耗（Pd）：4.8W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：DFN3x3
GL6-P3211 MOSFET采用了先进的沟槽式功率MOSFET技术，具有非常低的导通电阻，从而降低了功率损耗并提高了整体系统效率。该器件的高电流容量和低Rds(on)特性使其在高负载条件下依然保持稳定的性能。
此外，GL6-P3211具备良好的热稳定性，能够在较高的温度环境下运行，确保了器件在严苛应用中的可靠性。其DFN3x3封装不仅体积小巧，还优化了散热路径，提高了热管理性能，适合高密度PCB布局。
栅极驱动特性方面，GL6-P3211支持常见的逻辑电平驱动，简化了与控制器或驱动器的接口设计。同时，该MOSFET具有较低的输入电容和开关损耗，使其在高频开关应用中表现出色，适用于高效能开关电源设计。
GL6-P3211广泛应用于各种电源管理系统，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率控制部分。其高效率和小尺寸封装使其成为笔记本电脑、平板电脑、服务器电源模块和便携式电子设备的理想选择。
SiS628ADN, TPS62130, NVTFS5C471NLTAG, GLF3211
