GL5ZJ43是一种高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),通常用于高功率开关应用。这种类型的晶体管以其高效率和快速开关能力著称,适用于各种电子设备,如电源供应器、马达控制器以及逆变器等。GL5ZJ43具有优良的导通电阻特性,使其在工作时能够减少能量损耗并提高整体性能。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流:43A
漏-源击穿电压:500V
导通电阻(Rds(on)):0.15Ω(最大)
栅极阈值电压:2V至4V
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-247
GL5ZJ43 MOSFET具备低导通电阻的特点,这有助于降低导通状态下的功率损耗,从而提高系统的能效。其高耐压能力允许它在高压环境中可靠运行,同时其封装设计提供了良好的散热性能,确保在高电流条件下也能维持稳定的工作温度。此外,该器件还具有快速的开关速度,这使其适用于高频开关应用,从而可以减小外围元件的尺寸并提高系统效率。
该MOSFET还具备较高的热稳定性,能够在严苛的工作条件下保持性能稳定。其设计优化了短路耐受能力,从而在异常工作条件下提供额外的保护。此外,GL5ZJ43在设计上考虑了雪崩能量耐受能力,使其在可能遭遇电压尖峰的应用中具备更高的可靠性。
GL5ZJ43常用于需要高电压和高电流处理能力的电力电子设备中,例如开关电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、工业电机驱动、太阳能逆变器和电动车充电系统等。它也适合用于各种功率因数校正(PFC)电路以及DC-DC转换器中,以实现高效的能量转换。在需要可靠性和高效率的场合,GL5ZJ43是一个理想的选择。
STP43NM50ND, FDPF4N50, IRFB4110