类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：5A
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.045Ω @ VGS = 10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

GL5HD8 MOSFET具有多项优异特性，首先是其低导通电阻（RDS(on)），在VGS为10V时仅为0.045Ω，这使得在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有高耐压能力，漏-源电压最大可达60V，使其适用于多种中高压电源转换场景。
　　该MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适应各种严苛环境条件。TO-252封装设计不仅便于安装，而且有助于快速散热，提升器件的长期可靠性。
　　GL5HD8的栅极驱动电压范围较宽，支持±20V的栅-源电压操作，确保了在不同控制电路中的兼容性。同时，该器件具有快速开关特性，降低了开关过程中的能量损耗，提高了整体系统的响应速度和效率。这些特性使得GL5HD8成为电源管理、电机控制、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的理想选择。

GL5HD8广泛应用于多个高性能电子系统中。在电源管理领域，它常用于构建高效的DC-DC转换器和同步整流电路，以实现高效率的能量转换。在电池管理系统（BMS）中，GL5HD8可用于电池充放电控制电路，确保电池组的安全运行。
　　此外，该MOSFET在电机控制应用中表现出色，可作为H桥电路中的开关元件，实现对电机速度和方向的精确控制。由于其高耐压能力和良好的热性能，GL5HD8也适用于工业自动化设备中的功率控制模块，如PLC（可编程逻辑控制器）和工业电源模块。
　　在消费类电子产品中，GL5HD8可用于笔记本电脑、平板电脑和智能电源插座等设备的电源管理电路，提供稳定可靠的功率控制能力。

Si2302DS, AO3400, FDS6680, NTD14N06L