GL483F 时间：2025/8/27 17:10:33 阅读：6

GL483F是一款由Giantec Semiconductor公司生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）驱动器芯片，广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器、逆变器以及各类功率电子系统中。该器件内部集成了高端和低端驱动电路，能够高效地驱动N沟道功率MOSFET或IGBT，适用于半桥或全桥拓扑结构。GL483F采用高压工艺制造，具备较强的抗干扰能力和稳定性，适合在工业级环境中使用。

参数

工作电压范围：10V ~ 20V
　　输出电流能力：高端/低端各1.4A（典型值）
　　工作频率：最高可达1MHz
　　输入逻辑兼容：CMOS/TTL兼容
　　封装形式：8引脚SOIC
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　导通延迟时间：典型值100ns
　　关断延迟时间：典型值90ns
　　死区时间：内置可调或固定设计
　　耐压能力：VBS最大为600V（典型）

特性

GL483F是一款高集成度的半桥MOSFET驱动芯片，内部采用自举电路技术，能够在高压环境中稳定工作。其高端驱动部分采用浮动电源供电方式，能够有效驱动高边MOSFET，无需额外的隔离电源。该芯片具备欠压保护（UVLO）功能，在供电电压低于设定阈值时自动关闭输出，防止MOSFET工作在非安全区域。此外，GL483F具备较强的抗负压能力和抗干扰设计，能够有效抑制开关过程中产生的噪声干扰，提高系统稳定性。
　　该驱动器采用双通道输出结构，分别控制高端和低端MOSFET，输出驱动能力强，能够快速充放电MOSFET栅极，从而减少开关损耗，提高系统效率。其输入信号采用CMOS/TTL电平兼容设计，便于与各种控制器（如MCU、DSP、PWM控制器等）连接。GL483F的封装形式为8引脚SOIC，体积小巧，便于PCB布局，并具有良好的散热性能。
　　此外，该芯片支持高频工作模式，适用于高频开关电源和逆变器应用，能够显著减小外围元件尺寸，提高系统功率密度。其内部还设计有互锁保护机制，防止上下桥臂同时导通，避免短路风险。

应用

GL483F广泛应用于各种功率电子系统中，例如：
　　- 无刷直流电机驱动器
　　- 高频DC-DC转换器（如LLC谐振转换器）
　　- 逆变器（如UPS、太阳能逆变器）
　　- 工业自动化控制系统
　　- 电源模块和开关电源
　　- 电动车控制器
　　- 电磁加热系统
　　该芯片特别适用于需要高压浮动驱动和高可靠性的半桥或全桥拓扑结构。