容量：256Mbit
　　接口类型：SPI
　　工作电压：2.3V~3.6V
　　工作温度范围：-40°C~+85°C
　　封装类型：DFN8
　　最大时钟频率：80MHz
　　读取电流：5mA（典型值）
　　待机电流：10uA（最大值）
　　擦除和编程电压：内部电荷泵生成
　　编程时间：1.3ms（典型值）
　　擦除时间：20ms（典型值）
　　数据保持时间：10年
　　擦写次数：100,000次（典型值）

GL256N11FFIV1是一款高性能的SPI NOR Flash存储器，具备高速读取能力和低功耗特性。其采用先进的CMOS工艺制造，能够在宽电压范围内稳定工作（2.3V至3.6V），适用于多种电源环境。芯片内部集成了电荷泵电路，支持在单电压下进行擦除和编程操作，简化了系统设计。
　　该芯片支持标准SPI、双输出SPI（Dual Output SPI）和四输出SPI（Quad Output SPI）模式，提供灵活的数据传输方式，提升数据访问效率。此外，GL256N11FFIV1还具备良好的抗干扰能力和数据保持性能，可在高温环境下长期稳定运行，适用于工业级应用。
　　芯片内置写保护机制，包括软件写保护和硬件写保护（通过WP引脚控制），防止意外写入或擦除操作，确保关键数据的安全性。它还支持多种擦除粒度，包括4KB扇区擦除、32KB块擦除、64KB块擦除以及全片擦除，满足不同应用场景的灵活性需求。
　　GL256N11FFIV1在设计上充分考虑了功耗优化，支持多种低功耗模式，如待机模式、深度掉电模式等，特别适合对能耗敏感的便携式设备和电池供电系统。

GL256N11FFIV1广泛应用于需要大容量、高速、低功耗非易失性存储的电子设备中。例如，嵌入式系统的启动代码存储、固件更新、数据记录等场景；消费类电子产品如智能手表、智能音箱、无线耳机等的固件存储；工业控制设备如PLC控制器、传感器模块、工业网关等的数据和程序存储；汽车电子设备如车载导航、仪表盘、ADAS系统中的固件引导和存储；通信设备如路由器、交换机、无线模块的配置存储和固件更新等。
　　此外，该芯片也适用于物联网（IoT）设备、智能家居控制器、可穿戴设备等对体积和功耗有较高要求的领域。其高可靠性和工业级温度范围使其在恶劣环境下也能稳定运行。

W25Q256JV, MX25L25645G, S25FL256S, N25Q256A