类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：110A（在 Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 1.9mΩ（在 Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）或类似功率封装
　　栅极电荷（Qg）：约 70nC（典型值，取决于测试条件）
　　输入电容（Ciss）：约 2000pF（典型值）
　　反向恢复时间（trr）：快速恢复二极管特性（与续流二极管相关）

GL1PR111 作为一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，具备多项显著的技术特性。其最重要的特性之一是低导通电阻（Rds(on)），典型值可低至 1.9mΩ。这使得在高电流工作条件下，器件的导通损耗显著降低，提高了整体系统的效率。此外，该器件采用了先进的沟槽栅极结构，使得在保证低导通电阻的同时，还具备良好的开关性能，从而减少开关过程中的能量损耗。
　　GL1PR111 的栅极驱动电压范围为 ±20V，确保了器件在各种驱动条件下的稳定性和可靠性。其栅极电荷（Qg）较低，通常在 70nC 左右，这意味着在高频开关应用中，该 MOSFET 所需的驱动功率较小，进一步提升了系统效率。同时，其输入电容（Ciss）也较低，有助于减少开关时的延迟和振荡，提高动态响应能力。
　　该 MOSFET 的连续漏极电流能力高达 110A，在适当的散热条件下可以支持高功率负载。其最大漏源电压（Vds）为 100V，使其适用于多种中高功率应用，如 DC-DC 转换器、电池管理系统和工业控制设备。此外，GL1PR111 的封装设计（如 TO-252）优化了散热性能，能够在高电流和高功率密度的条件下保持良好的热稳定性。
　　另一个重要特性是其宽工作温度范围，可在 -55°C 至 150°C 的温度范围内稳定工作，适用于各种工业和汽车应用环境。此外，该器件具备较强的抗过载和短路能力，能够在极端条件下提供可靠的保护功能。

GL1PR111 主要应用于需要高效率、高功率密度和可靠性的电子系统中。其主要应用领域包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动、电池管理系统以及各种工业控制和电源管理设备。
　　在 DC-DC 转换器中，GL1PR111 可作为主开关元件，利用其低导通电阻和快速开关特性来提高转换效率，尤其是在高电流输出的条件下。在同步整流器中，该 MOSFET 可以替代传统肖特基二极管，进一步降低导通损耗，提高整体效率。
　　由于其高耐压和大电流能力，GL1PR111 也非常适合用于电机驱动电路，如无刷直流电机（BLDC）控制和步进电机驱动。在这些应用中，MOSFET 需要承受较大的瞬态电流和反向电动势，而 GL1PR111 的高耐压和低 Rds(on) 特性使其能够在这些苛刻条件下稳定工作。
　　此外，该器件还可用于电池管理系统（BMS）中，作为充放电控制开关。其高耐压和大电流能力使其能够处理高能量密度电池组（如锂离子电池）的充放电需求，同时其低导通电阻也有助于延长电池续航时间。
　　在工业和汽车电子领域，GL1PR111 也可用于各种负载开关、继电器替代、LED 驱动和电源分配系统中，提供高效、可靠的功率控制解决方案。

SiHF110N100D, STP110N10F7, FDP110N10, IPP110N10S4-03