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GJM1555C1HR40CB01D 发布时间 时间:2025/7/5 2:42:50 查看 阅读:7

GJM1555C1HR40CB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,从而能够有效降低功耗并提高系统效率。其封装形式为行业标准,便于集成到各种电路设计中。

参数

型号:GJM1555C1HR40CB01D
  类型:N-Channel MOSFET
  电压(Vds):60V
  电流(Id):27A
  导通电阻(Rds(on)):4mΩ
  栅极电荷(Qg):23nC
  最大工作温度范围:-55℃ to 150℃
  封装:TO-263

特性

GJM1555C1HR40CB01D具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够减少功率损耗。
  2. 快速开关速度,适合高频应用场合。
  3. 高浪涌能力,增强了器件在极端条件下的可靠性。
  4. 优异的热性能,确保长期稳定运行。
  5. 提供出色的电气保护功能,如过流保护和短路保护。
  这些特性使得该芯片成为高效率、高可靠性的电子设备的理想选择。

应用

该芯片适用于多种应用场景,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率级控制。
  2. DC-DC转换器中的同步整流功能。
  3. 各类电机驱动器,用于精确控制电机转速和方向。
  4. 负载开关及保护电路,用于便携式电子设备。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  GJM1555C1HR40CB01D凭借其优越的性能,可满足各类复杂环境下的需求。

替代型号

IRF540N
  FDP5800
  AON6960

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GJM1555C1HR40CB01D参数

  • 制造商Murata
  • 电容0.4 pF
  • 容差0.25 pF
  • 电压额定值50 Volts
  • 温度系数/代码C0G (NP0)
  • 外壳代码 - in0402
  • 外壳代码 - mm1005
  • 工作温度范围- 55 C to + 125 C
  • 产品High Q MLCCs
  • 封装Reel
  • 尺寸0.5 mm W x 1 mm L x 0.5 mm H
  • 封装 / 箱体0402 (1005 metric)
  • 系列GJM
  • 工厂包装数量10000
  • 端接类型SMD/SMT