时间：2025/6/10 10:55:00
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GJM1555C1H8R9WB01D 是一款高精度、低温度漂移的薄膜片式电阻器，适用于对稳定性和精度要求较高的电路设计。该元器件采用了先进的薄膜技术制造，具有出色的长期稳定性、低噪声和优异的频率特性。其封装形式紧凑，适合用于空间有限的应用场景，并且能够承受较高的额定功率，从而在各种复杂环境下保持稳定的性能表现。
这种型号的电阻器通常被应用于精密测量电路、信号调节模块以及滤波器网络中，确保整个系统在不同工况下具备可靠的性能。
阻值：8.2Ω
公差：±1%
额定功率：0.1W
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
温度系数：±25ppm/℃
电压系数：<5ppm/V
ESD耐受能力：2kV
封装尺寸：0603英寸
GJM1555C1H8R9WB01D 采用薄膜镍铬合金材料制成，保证了低温度漂移特性和长期稳定性。此外，这款电阻器还具有以下显著特点：
1. 高精度阻值和低公差，满足精密应用需求。
2. 出色的抗浪涌电流能力，能够在短时间内承受较大功率冲击。
3. 良好的高频响应特性，适用于高速信号处理场合。
4. 封装紧凑，易于集成到小型化或高度集成化的电子设备中。
5. 环保无铅设计，符合RoHS标准，满足现代绿色电子产品的要求。
该电阻器适用于多种工业和消费类电子产品的应用场景，包括但不限于：
1. 精密仪器仪表中的信号调理电路。
2. 音频设备中的滤波器网络。
3. 医疗设备中的电源管理模块。
4. 工业自动化控制系统的反馈回路。
5. 汽车电子系统中的传感器接口电路。
由于其高精度和稳定性，这款电阻器特别适合需要长期可靠运行的环境。
GJM1555C1H8R2WB01D
GJM1555C1H8R9WB01A
