时间：2025/6/10 10:29:46
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GJM1555C1H4R3WB01D 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频和高效率应用设计。该器件采用先进的封装技术，具有低寄生电感和优异的散热性能，适用于射频功率放大器、雷达系统以及通信基站等场景。
型号：GJM1555C1H4R3WB01D
类型：GaN HEMT
最大漏源电压：100 V
最大栅源电压：±6 V
导通电阻：45 mΩ
输出电流：20 A
频率范围：DC - 18 GHz
热阻：0.2 ℃/W
封装形式：QFN-8
这款 GaN HEMT 具备出色的高频特性和高功率密度，能够显著提升射频系统的效率和带宽。
其核心特点包括：
1. 极低的导通电阻和寄生电感，确保高开关速度和低损耗。
2. 高击穿电压能力，适应高压工作环境。
3. 支持高达 18 GHz 的工作频率，非常适合现代无线通信需求。
4. 优秀的散热设计，降低运行温度并提高可靠性。
5. 小型化的 QFN-8 封装，节省 PCB 空间且易于集成。
此外，该器件还具有高可靠性和抗辐射性能，适合军事和航空航天领域中的关键任务应用。
GJM1555C1H4R3WB01D 主要应用于以下领域：
1. 射频功率放大器，特别是在 5G 基站和其他高性能通信设备中。
2. 雷达系统，支持高精度目标检测和跟踪。
3. 卫星通信终端，提供稳定的信号放大功能。
4. 工业和科学仪器，例如高能物理实验装置。
5. 军用电子战系统，满足复杂电磁环境下的要求。
由于其高效和稳定的表现，这款芯片成为众多高端射频应用的理想选择。
GJM1555C1H4R3WB02D, GJM1555C1H4R3WB03E
