GJM1555C1H3R3DB01D是一种表面贴装的多层陶瓷电容器(MLCC),属于高容值、低ESR特性系列。该型号适用于高频滤波、电源去耦以及信号耦合等应用场合,其采用X7R介质材料,具备出色的温度稳定性和可靠性。
此款电容器具有小型化和高性能的特点,广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域。产品符合RoHS标准,并支持自动化表面贴装工艺。
型号:GJM1555C1H3R3DB01D
电容量:3.3μF
额定电压:6.3V
公差:±20%
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装形式:1812
介质材料:X7R
静电容量偏差:B特性(±10%)
DC偏压特性:良好
绝缘电阻:高
损耗因数:低
GJM1555C1H3R3DB01D采用X7R类介质材料制造,这种材料在较宽的工作温度范围内(-55°C至+125°C)表现出良好的电容量稳定性,且其电容量随施加直流电压的变化较小。
该电容器具备较高的抗机械冲击性能,适合用在高频电路中以减少寄生效应。
其表面贴装设计能够很好地适应现代化大批量生产的SMT工艺需求,同时体积小,有助于缩小整体电路板尺寸。
此外,由于采用了先进的制造工艺,GJM1555C1H3R3DB01D还具有较低的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL),这使其非常适合用于高速开关电源和射频电路中的滤波与去耦操作。
该型号电容器主要应用于以下场景:
1. 高速数字电路中的电源去耦,以降低电源噪声并保证系统稳定性。
2. 射频前端模块中的滤波电路,如无线通信设备中的接收机和发射机部分。
3. 消费类电子产品,例如智能手机和平板电脑中的音频信号处理电路。
4. 工业控制和医疗设备中的精密模拟信号调理电路,如放大器输入输出端的耦合或旁路功能。
5. 数据中心服务器和存储系统的供电网络,提供稳定的电能供应并抑制纹波干扰。
GJM1885C1H3R3KPA01D
GJM1555C1H3R3JBA01D
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