时间：2025/6/6 9:42:39
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GJM1555C1H3R3DB01D是一种表面贴装的多层陶瓷电容器（MLCC），属于高容值、低ESR特性系列。该型号适用于高频滤波、电源去耦以及信号耦合等应用场合，其采用X7R介质材料，具备出色的温度稳定性和可靠性。
此款电容器具有小型化和高性能的特点，广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制领域。产品符合RoHS标准，并支持自动化表面贴装工艺。
型号：GJM1555C1H3R3DB01D
电容量：3.3μF
额定电压：6.3V
公差：±20%
工作温度范围：-55℃ 至 +125℃
封装形式：1812
介质材料：X7R
静电容量偏差：B特性（±10%）
DC偏压特性：良好
绝缘电阻：高
损耗因数：低
GJM1555C1H3R3DB01D采用X7R类介质材料制造，这种材料在较宽的工作温度范围内（-55°C至+125°C）表现出良好的电容量稳定性，且其电容量随施加直流电压的变化较小。
该电容器具备较高的抗机械冲击性能，适合用在高频电路中以减少寄生效应。
其表面贴装设计能够很好地适应现代化大批量生产的SMT工艺需求，同时体积小，有助于缩小整体电路板尺寸。
此外，由于采用了先进的制造工艺，GJM1555C1H3R3DB01D还具有较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），这使其非常适合用于高速开关电源和射频电路中的滤波与去耦操作。
该型号电容器主要应用于以下场景：
1. 高速数字电路中的电源去耦，以降低电源噪声并保证系统稳定性。
2. 射频前端模块中的滤波电路，如无线通信设备中的接收机和发射机部分。
3. 消费类电子产品，例如智能手机和平板电脑中的音频信号处理电路。
4. 工业控制和医疗设备中的精密模拟信号调理电路，如放大器输入输出端的耦合或旁路功能。
5. 数据中心服务器和存储系统的供电网络，提供稳定的电能供应并抑制纹波干扰。
GJM1885C1H3R3KPA01D
GJM1555C1H3R3JBA01D
GJM1885C1H3R3KBB01D
