GJM1555C1H2R8BB01D 是一款高性能的钽电容器,属于固体钽电容系列。该型号采用表面贴装技术(SMD),具有高可靠性和低等效串联电阻(ESR)特性,广泛应用于需要高频滤波和稳定电压输出的电子电路中。其设计符合严格的军工标准,在恶劣环境下仍能保持稳定的性能。
容量:2.2μF
额定电压:35V
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
封装类型:chip
尺寸:EIA 1811
ESR(最大值):0.15Ω
耐压等级:1.5倍额定电压(持续1秒)
绝缘电阻:≥10MΩ
GJM1555C1H2R8BB01D 具有出色的频率特性和温度稳定性,适合用作电源去耦、信号滤波以及储能元件。其固态结构确保了极低的漏电流和长寿命,同时具备抗振性和抗冲击性。该电容还支持自动化表面贴装工艺,便于大批量生产。
1. 高可靠性:满足军用级标准,适用于航空航天及工业控制领域。
2. 小型化设计:紧凑的封装使其易于集成到高密度电路板中。
3. 良好的热稳定性:能够在极端温度条件下正常工作。
4. 环保材料:符合RoHS指令要求,无铅且不含卤素。
该型号主要应用于对稳定性要求较高的场景,例如:
1. 军事通信设备中的射频模块和电源管理单元。
2. 工业自动化控制系统中的传感器接口和数据采集卡。
3. 医疗仪器中的信号调理电路和电池管理系统。
4. 汽车电子系统中的点火控制器和发动机管理单元。
5. 高端消费类电子产品中的音频放大器和图像处理芯片供电部分。
GJM1555C1H2R8BA01D
GJM1555C1H2R8BC01D
GJM1555C1H2R8BD01D