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GJM1555C1H200GB01D 发布时间 时间:2025/6/21 1:10:07 查看 阅读:3

GJM1555C1H200GB01D是一款高性能的存储芯片,主要用于大容量数据存储和管理。该芯片采用先进的NAND闪存技术,具有高可靠性和快速读写性能。其设计符合工业标准,适合在多种环境中应用,例如企业级服务器、数据中心、嵌入式系统等。这款芯片支持高速接口,能够显著提升系统的整体性能。
  此外,GJM1555C1H200GB01D采用了3D堆叠技术,使得单位面积内的存储密度大幅提高,同时降低了功耗和成本。这种创新的设计使其成为需要高效存储解决方案的理想选择。

参数

容量:200GB
  接口类型:PCIe NVMe 4.0
  工作电压:1.8V
  读取速度:3500 MB/s
  写入速度:3000 MB/s
  擦写寿命:3000次
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装形式:BGA
  尺寸:7mm x 11.5mm

特性

GJM1555C1H200GB01D的核心特性包括高效能、低延迟和高可靠性。它支持ECC(错误检查与纠正)功能,确保数据传输的准确性。通过内置的磨损平衡算法,进一步延长了芯片的使用寿命。
  此外,该芯片集成了强大的安全机制,包括AES加密和TRIM命令支持,以保护敏感数据并优化垃圾回收效率。其低功耗设计也使其非常适合对能源消耗有严格要求的应用场景。
  在制造工艺方面,GJM1555C1H200GB01D采用了最新的节点技术,保证了卓越的性能表现和稳定性。结合高效的热管理系统,即使在长时间运行下也能保持稳定的工作状态。

应用

该存储芯片广泛应用于企业级服务器、数据中心、云计算平台以及嵌入式设备中。在服务器领域,它可以提供大容量的本地存储,减少对外部存储设备的依赖,从而降低总体拥有成本。
  在消费电子领域,GJM1555C1H200GB01D被用于高端笔记本电脑和平板电脑,为用户提供更快的启动速度和更流畅的操作体验。
  此外,这款芯片还适用于汽车电子系统、工业自动化控制以及监控录像存储等领域,满足不同行业对高性能存储的需求。

替代型号

GJM1555C1H100GB01D
  GJM1555C1H400GB01D
  GJM1555C1H1TB01D

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GJM1555C1H200GB01D参数

  • 制造商Murata
  • 产品种类多层陶瓷电容 (MLCC) - SMD/SMT
  • 电容200 pF
  • 容差2 %
  • 电压额定值50 Volts
  • 温度系数/代码C0G (NP0)
  • 外壳代码 - in0402
  • 外壳代码 - mm1005
  • 工作温度范围- 55 C to + 125 C
  • 产品High Q MLCCs
  • 封装Reel
  • Capacitance - nF0.2 nF
  • 尺寸0.5 mm W x 1 mm L x 0.5 mm H
  • 封装 / 箱体0402 (1005 metric)
  • 系列GJM
  • 工厂包装数量10000
  • 端接类型SMD/SMT