时间：2025/6/13 12:41:12
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GJM1555C1H150GB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺，适用于高频开关和高效能功率转换场景。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热稳定性，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等领域。
型号：GJM1555C1H150GB01D
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：150V
最大栅极源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：30A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ
总功耗(Ptot)：250W
工作温度范围：-55°C to +175°C
封装形式：TO-247
GJM1555C1H150GB01D具备低导通电阻以减少功率损耗，从而提高系统效率。
其快速开关性能能够支持高频应用，降低电磁干扰(EMI)的影响。
芯片内置了过温保护和过流保护功能，提升了系统的可靠性。
同时，由于采用了优化的封装设计，散热性能得到了显著提升，适合长时间高负载运行。
此外，该器件还具有良好的静电防护能力，进一步增强了产品的耐用性。
这款功率MOSFET适用于多种工业和消费类电子领域，包括但不限于以下应用：
- 开关电源(SMPS)
- 电机驱动控制
- DC-DC转换器
- 太阳能逆变器
- 电动工具及家电调速控制
- 车载充电设备
- 工业自动化系统中的功率管理模块
GJM1555C1H150GA01D
GJM1555C1H150GB02D
IRFP260N
STP30NF150
