时间：2025/6/17 5:43:47
阅读：2
GJM1555C1H120GB01D是一款高性能的氮化镓（GaN）功率晶体管，专为高频和高效率应用场景设计。该器件采用了先进的增强型GaN技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于电源转换、电机驱动和无线充电等领域。
这款芯片在封装和散热性能上进行了优化，能够支持更高的功率密度和更小的系统体积。其高频率工作能力使得磁性元件尺寸得以缩小，从而降低整体成本并提升效率。
型号：GJM1555C1H120GB01D
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
额定电压：650V
额定电流：120A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：80nC
开关速度：支持超过1MHz
封装形式：G-TO-247-4L
工作温度范围：-55℃至+150℃
GJM1555C1H120GB01D具有以下显著特性：
1. 高击穿电压：该器件的耐压高达650V，使其适合高压应用环境。
2. 极低导通电阻：仅为1.2mΩ，可显著减少传导损耗，提高系统效率。
3. 快速开关性能：具备低栅极电荷和快速开关时间，适合高频工作场景。
4. 高温稳定性：能够在最高结温150°C下稳定运行，适应恶劣环境。
5. 小型化设计：得益于GaN材料的优异性能，可以实现更高功率密度的解决方案。
6. 热管理优化：采用改进的封装技术，增强散热性能，确保长期可靠性。
该芯片广泛应用于多种高要求领域，包括但不限于：
1. 数据中心电源供应单元（PSU），提供高效可靠的供电解决方案。
2. 工业用逆变器和电机驱动，用于提高能效和动态响应速度。
3. 太阳能微型逆变器，实现更高的能量转换效率。
4. 车载充电器（OBC）及电动车动力系统，满足高功率需求。
5. 消费电子快充适配器，支持大功率快充功能同时保持小巧外形。
GJM1555C1H100GB01D, GJM1555C1H150GB01D
