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GJM1555C1H100GB01J 发布时间 时间:2025/6/10 15:26:23 查看 阅读:20

GJM1555C1H100GB01J是一款高性能的存储芯片,主要应用于需要大容量数据存储的场景。该芯片属于NAND Flash系列,采用3D TLC技术,具备高密度、低功耗和高速传输的特点。
  该型号支持工业级温度范围(-40°C至+85°C),使其在恶劣环境下依然能够保持稳定运行。其设计优化了耐用性和数据保留能力,适用于长时间运行的关键任务应用。

参数

容量:100GB
  接口类型:SATA III
  工作电压:3.3V
  数据传输速率:560 MB/s(读取)
  写入速度:520 MB/s
  擦写次数:3000次
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装形式:BGA
  I/O耐压:3.3V
  待机功耗:50mW

特性

GJM1555C1H100GB01J采用先进的3D NAND技术,相比传统的2D NAND具有更高的存储密度和更好的性能表现。
  它支持ECC(错误检查和纠正)功能,确保数据的完整性和可靠性。此外,该芯片还集成了磨损均衡算法,进一步延长了使用寿命。
  在安全性方面,此芯片支持AES 256位加密技术,保护数据免受未经授权的访问。同时,内置的坏块管理机制可以自动检测和隔离损坏的存储单元,从而提高整体系统的稳定性。
  GJM1555C1H100GB01J还具备断电保护功能,能够在突发断电情况下有效保护数据不丢失。这种综合性的设计使其非常适合嵌入式系统、工业自动化设备以及监控录像等对存储性能和可靠性要求较高的领域。

应用

该芯片广泛应用于各种需要高可靠性和大容量存储的场景中,包括但不限于以下领域:
  1. 工业计算机和嵌入式设备:
  为工业环境中的计算设备提供稳定的数据存储解决方案。
  2. 监控系统:
  用于视频监控设备,满足长时间连续记录的需求。
  3. 车载电子系统:
  在汽车电子领域,如行车记录仪或车载信息娱乐系统中使用,适应宽温变化。
  4. 医疗设备:
  支持医疗成像设备和其他关键任务型医疗器械中的数据存储需求。
  5. 物联网终端:
  在物联网网关或其他智能终端中,提供高效的数据存储功能。

替代型号

GJM1555C1H120GB01J, GJM1555C1H080GB01J

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GJM1555C1H100GB01J参数

  • 制造商Murata
  • 电容100 pF
  • 容差2 %
  • 电压额定值50 Volts
  • 温度系数/代码C0G (NP0)
  • 外壳代码 - in0402
  • 外壳代码 - mm1005
  • 工作温度范围- 55 C to + 125 C
  • 产品High Q MLCCs
  • 封装Reel
  • Capacitance - nF0.1 nF
  • 尺寸0.5 mm W x 1 mm L x 0.5 mm H
  • 封装 / 箱体0402 (1005 metric)
  • 系列GJM
  • 工厂包装数量50000
  • 端接类型SMD/SMT