时间：2025/5/23 18:37:00
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GJM0336C1E200FB01D 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等优点，能够满足高效能应用的需求。
这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，适合用于需要快速开关和低损耗的场景。其封装形式为行业标准的贴片式封装，具有良好的散热特性和机械稳定性。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：200A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：45nC
开关时间：ton=8ns, toff=15ns
工作结温范围：-55℃至175℃
GJM0336C1E200FB01D 提供了卓越的电气性能，主要特点如下：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有效减少导通损耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力，支持高达 200A 的连续漏极电流，适用于大功率应用场景。
3. 快速开关特性，具备短开关时间和低栅极电荷，从而降低开关损耗。
4. 宽工作温度范围 (-55°C 至 +175°C)，确保在极端环境下的可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保设计，满足国际法规要求。
该芯片可应用于多种领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动器中的功率级元件，用于控制电机的速度和方向。
3. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
4. 电动车及新能源相关产品中的逆变器和 DC-DC 转换器。
5. 大功率 LED 驱动电路中的开关元件。
GJM0336C1E150FB01D, IRF2807PbF
