时间：2025/6/10 10:22:52
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GJM0336C1E120GB01J 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，适用于高频开关电源、DC-DC转换器和无线充电等应用。该器件采用增强型GaN FET设计，能够提供低导通电阻和快速开关速度，从而显著提高系统效率并减少热损耗。
这款芯片集成了先进的保护功能和驱动电路，使其在各种复杂的应用环境中表现出色。其封装形式为超小型QFN封装，有助于降低寄生电感，提升整体性能。
型号：GJM0336C1E120GB01J
类型：GaN 功率晶体管
最大漏源电压（Vds）：650V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：120mΩ（典型值@Vgs=10V）
连续漏极电流（Id）：24A（25°C时）
栅极电荷（Qg）：80nC（典型值）
反向传输电容（Crss）：7pF（典型值）
开关频率：高达5MHz
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：QFN-8
1. 极低的导通电阻，可实现高效能量转换。
2. 快速开关速度，支持高频操作以减小无源元件尺寸。
3. 高耐压能力，适用于多种高压应用场景。
4. 内置过流保护和短路保护功能，增强了系统的可靠性。
5. 超小型封装设计，简化PCB布局并节省空间。
6. 热性能优越，能够在高温环境下保持稳定运行。
7. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代化电子设备中。
1. 开关电源（SMPS）中的主功率级开关。
2. 高效DC-DC转换器的核心组件。
3. 汽车电子系统中的负载开关和逆变器。
4. 工业电机驱动和伺服控制。
5. 光伏逆变器及储能系统中的功率管理。
6. 无线充电发射端和接收端的功率传输模块。
7. 便携式电子设备中的高效电源适配器。
GJM0336C1E100GB01J
GJM0336C1E150GB01J
