GJM0335G2A1R2WB01D 是一款由知名制造商生产的高精度薄膜片式电阻器。该电阻器采用先进的薄膜技术制造,具有卓越的稳定性、低噪声和高频率特性,适用于各种精密电路和高频应用场景。其紧凑的设计使其非常适合用于空间有限的电子设备中。
阻值:33.5Ω
公差:±1%
额定功率:0.1W
温度系数:±25ppm/°C
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
封装类型:0402
材料:镍钯金(NiPdAu)端电极
GJM0335G2A1R2WB01D 的主要特性包括高精度阻值、出色的长期稳定性以及低温度系数,这使得它在环境变化较大的情况下仍能保持稳定的性能。
此外,这款电阻器采用了薄膜工艺制造,具备低噪声和高频特性,非常适合用于射频(RF)电路和信号处理应用。其小型化的0402封装设计不仅节省了PCB空间,还简化了自动化装配过程,提高了生产效率。
GJM0335G2A1R2WB01D 广泛应用于消费类电子产品、通信设备、医疗设备及工业控制等领域。具体应用包括:
- 高频滤波器
- 射频放大器
- 精密测量仪器
- 数据转换电路
- 汽车电子系统中的信号调节
- 医疗监测设备中的低噪声信号路径
GJM0335G2A1R2WB01