时间：2025/6/22 10:44:01
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GJM0335C1H5R8CB01D 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高频和高功率应用设计。该器件采用先进的封装技术，能够提供卓越的开关性能和低导通电阻，适合于无线通信、电源管理以及射频放大器等应用领域。
这款 GaN 晶体管具有出色的耐高压能力，同时保持较低的导通损耗，非常适合需要高效能量转换的应用场景。其独特的设计使它在高频条件下表现出色，并且能够显著减少系统尺寸和重量。
型号：GJM0335C1H5R8CB01D
类型：GaN HEMT
最大漏源电压（Vds）：600 V
最大栅源电压（Vgs）：±6 V
连续漏极电流（Id）：15 A
输出电容（Coss）：42 pF
输入电容（Ciss）：790 pF
反向传输电容（Crss）：18 pF
导通电阻（Rds(on)）：35 mΩ
典型开关频率：高达 5 MHz
结温范围：-55°C 至 +175°C
1. 使用氮化镓材料，具备更高的击穿电压和更低的导通电阻。
2. 支持高频工作，适用于高频功率转换电路。
3. 封装形式紧凑，简化了 PCB 设计并提高了系统的功率密度。
4. 超低寄生电感设计，优化了动态性能。
5. 提供增强型结构，确保更安全的操作模式。
6. 高能效表现，减少热量产生，延长设备寿命。
1. 开关电源（SMPS）中的功率因数校正（PFC）阶段。
变器。
3. 射频功率放大器（RFPA）。
4. 快速充电器和其他消费类电子产品中的高效功率转换模块。
5. 新能源汽车中的车载充电器（OBC）和 DC-DC 转换器。
6. 工业级电机驱动及不间断电源（UPS）系统。
GXM0335C1H5R8CB01D, HJM0335C1H5R8CB01D
