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GJM0335C1H1R2WB01D 发布时间 时间:2025/6/10 10:24:51 查看 阅读:22

GJM0335C1H1R2WB01D是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率晶体管,专为高频开关应用而设计。该器件采用了先进的封装工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于各种电源转换场景,如DC-DC转换器、充电器以及功率因数校正(PFC)电路等。其高耐压能力与卓越的热性能使得它在高功率密度设计中表现优异。

参数

额定电压:650V
  额定电流:30A
  导通电阻:12mΩ
  栅极电荷:80nC
  开关频率:最高可达5MHz
  工作温度范围:-40℃至+125℃
  封装形式:TO-247-4L

特性

这款功率晶体管具备出色的高频性能和低损耗特性,能够显著提升系统效率并减少散热需求。
  GJM0335C1H1R2WB01D采用增强型GaN材料,使其拥有比传统硅基MOSFET更低的导通电阻和开关损耗,从而实现更高的功率密度。
  此外,该芯片内置了过流保护和热关断功能,增强了系统的可靠性和安全性。
  其紧凑的封装形式进一步优化了PCB布局空间,并降低了寄生电感对性能的影响。

应用

GJM0335C1H1R2WB01D广泛应用于高频高效能电源解决方案中,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 快速充电器
  4. 功率因数校正(PFC)电路
  5. 电动工具驱动
  6. 工业电机控制
  7. 太阳能微型逆变器
  由于其高频特性和高效率,非常适合需要小型化和高性能的场合。

替代型号

GJM0335C1H1R2WB02D
  GJM0335C1H1R2WB03D

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GJM0335C1H1R2WB01D参数

  • 现有数量19,455现货
  • 价格1 : ¥1.11000剪切带(CT)15,000 : ¥0.16171卷带(TR)
  • 系列GJM
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电容1.2 pF
  • 容差±0.05pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性高 Q 值,低损耗
  • 等级-
  • 应用RF,微波,高频
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 大小 / 尺寸0.024" 长 x 0.012" 宽(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.013"(0.33mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-