时间：2025/6/10 10:22:17
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GJM0335C1E7R5DB01J 是一种基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），适用于高频和高功率应用。该器件具有出色的开关特性和低导通电阻，能够在高频条件下实现高效能量转换。这种 GaN HEMT 器件采用了先进的封装技术，能够显著提高系统性能并减少整体尺寸。
其设计主要针对电源管理、DC-DC 转换器、电信基础设施、工业电机驱动以及消费类快充适配器等应用场景。
型号：GJM0335C1E7R5DB01J
类型：增强型 GaN HEMT
漏源电压（Vds）：600 V
连续漏极电流（Id）：3.5 A
导通电阻（Rds(on)）：70 mΩ
栅极电荷（Qg）：40 nC
输入电容（Ciss）：920 pF
输出电容（Coss）：48 pF
反向传输电容（Crss）：12 pF
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：DFN8（3.3 x 3.3 mm）
1. 高击穿电压：GJM0335C1E7R5DB01J 的额定漏源电压为 600 V，适合高电压应用环境。
2. 快速开关速度：由于其低栅极电荷和反向传输电容，此器件能够实现快速开关操作，从而减少开关损耗。
3. 低导通电阻：70 mΩ 的典型导通电阻使其在传导阶段效率更高，同时降低发热。
4. 小型化封装：采用 DFN8 封装，不仅减小了 PCB 占用面积，还优化了热性能。
5. 宽工作温度范围：从 -55°C 到 +150°C 的支持，确保其能在极端条件下稳定运行。
6. 高可靠性：通过严格的测试和筛选流程，保证了长期使用中的稳定性与耐用性。
1. 高频 DC-DC 转换器：
利用 GJM0335C1E7R5DB01J 的快速开关能力，可以构建高效的降压或升压电路。
2. 消费类快充适配器：
其低导通电阻和高耐压特性非常适合 USB-PD 等大功率充电解决方案。
3. 工业电机驱动：
可用于控制工业自动化设备中的电机，提供精确的速度调节和更高的能效。
4. 电信电源：
满足基站和其他通信设备对高可靠性和高性能的需求。
5. 太阳能逆变器：
在光伏系统中用于实现最大功率点跟踪（MPPT），以提高能量利用率。
GJM0335C1E7R5GB01J
GJM0335C1E7R5HB01J
