GJM0335C1E4R8CB01D是一款高性能的陶瓷电容器,采用多层陶瓷技术制造。该型号属于片式多层陶瓷电容器(MLCC),广泛应用于电子电路中的去耦、滤波和信号耦合等场景。它具有高可靠性、低ESL(等效串联电感)和低ESR(等效串联电阻)的特点,能够满足高频应用的需求。
这款电容器的工作温度范围广,能够在恶劣环境下保持稳定的性能。此外,其封装设计紧凑,适合高密度组装环境。
电容值:0.01μF
额定电压:50V
封装类型:0603英寸
耐压等级:DC 50V
温度特性:C0G(NP0)
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
尺寸:1.6mm x 0.8mm
公差:±5%
GJM0335C1E4R8CB01D采用C0G(NP0)介质材料,确保在宽温度范围内具有极高的稳定性。这种介质材料的温度系数接近零,因此即使在极端温度条件下,电容量的变化也非常小。此外,该电容器的低ESR和低ESL使其非常适合高频应用场景,例如射频模块和高速数字电路。
由于采用了多层陶瓷技术,该电容器能够在较小的体积内提供较高的电容值,并且具备优异的机械强度。同时,其表面贴装设计(SMD)简化了装配工艺并提高了生产效率。
GJM0335C1E4R8CB01D符合RoHS标准,无铅环保,适用于对环保要求严格的现代电子产品设计。
GJM0335C1E4R8CB01D主要用于以下领域:
1. 高速数字电路中的电源去耦和滤波。
2. 射频(RF)电路中的信号耦合和旁路。
3. 模拟电路中的滤波和匹配网络。
4. 工业自动化设备中的稳定性和抗干扰设计。
5. 消费类电子产品中的音频和视频信号处理。
6. 汽车电子系统中的高频滤波与噪声抑制。
由于其出色的温度稳定性和高频性能,该电容器特别适合需要高可靠性和稳定性的应用场景。
GJM0335C1E4R8BB01D
GJM0335C1E4R8CC01D
GJM0335C1E4R8DB01D