电容值：3.3pF
　　容差：±0.1pF
　　额定电压：25V
　　介质材料：C0G（NP0）
　　封装尺寸：0402（1.0mm x 0.5mm）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：0ppm/°C
　　绝缘电阻：10,000MΩ（最小）
　　损耗角正切（tanδ）：≤0.15%
　　最大纹波电流：根据应用频率和环境温度而定

GJM0335C1E3R2WB01 属于 C0G（NP0）介质的多层陶瓷电容器，具有极高的电容稳定性，即使在温度、电压和时间变化的情况下，其电容值也能保持几乎不变。这种电容器特别适用于高精度滤波、振荡器和耦合/去耦电路中，因为它们能够提供非常低的相位噪声和高频率稳定性。此外，该型号具有优异的高频响应性能，能够在射频（RF）和高速数字电路中提供有效的去耦和旁路功能。由于其小尺寸（0402）和高精度容差（±0.1pF），GJM0335C1E3R2WB01 在高密度 PCB 设计中也非常受欢迎。其工作温度范围广泛（-55°C 至 +125°C），确保了在极端环境下的可靠运行。此外，该电容器的绝缘电阻高（10,000MΩ 最小），降低了漏电流的风险，使其适用于高阻抗电路和精密模拟电路。低损耗角正切（tanδ ≤0.15%）也意味着其在高频下具有极低的能量损耗，提高了整体电路的效率和性能。

GJM0335C1E3R2WB01 多层陶瓷电容器主要应用于对电容精度和稳定性要求极高的电路中，例如无线通信系统中的射频振荡器、滤波器和匹配网络。它也常用于高精度模拟电路中的耦合和去耦，确保信号的纯净度和稳定性。此外，该电容器适用于高速数字电路中的电源去耦，帮助减少高频噪声和电压波动，提高系统的稳定性。在工业控制、航空航天和汽车电子等领域，该型号电容器也广泛用于需要在极端温度环境下保持稳定性能的场合。由于其小尺寸和SMD封装，GJM0335C1E3R2WB01 非常适合用于高密度PCB布局和自动化贴片生产。

GJM0335C1H3R2WB01 GJM0335C1E3R2WB01D